陈燕宁：攻关工业芯片可靠性关键技术

　　“工业芯片可靠性技术研究需要‘十年磨一剑’的精神，关键核心技术突破没有捷径，唯有脚踏实地、潜心钻研。”北京智芯微电子科技有限公司研发中心总经理陈燕宁常用这句话勉励团队。作为创新团队技术带头人，她以“敢想”“敢闯”“敢拼”的工作作风，为科研工作者作出榜样。

　　从事芯片研发工作以来，陈燕宁一直致力于工业芯片可靠性关键技术攻关，带领团队攻克了多物理场下芯片可靠性退化机理及专用设计工具研究、高可靠长寿命特色流片工艺设计、电力芯片综合测试系统开发等一系列工业芯片技术难题。她曾获北京市优秀青年工程师、国家电网有限公司巾帼建功标兵、“最美国网人”等称号，获省部级、公司级科技奖励23项，发表SCI、EI论文44篇。

　　为了提升电力芯片可靠性水平，陈燕宁和团队成员跑遍全国各地电力芯片应用的极端环境现场，收集整理了大量关键数据。他们研究分析电力各环节终端装置应用场景的环境数据，寻找环境和芯片功能退化的相关性规律，研究高可靠器件设计方法和流片工艺优化方案。

　　在大胆尝试和不懈努力下，陈燕宁和团队搭建出了可准确模拟电磁、温湿度等十余种环境特征和数百种典型应用场景的电力芯片动模平台，研制出高精度可靠性模型，找到了可用于抵抗环境干扰的芯片可靠性设计方法，开发出满足电力芯片应用需求的高低压融合、抗干扰、长寿命的特色流片工艺。此外，她带领团队开发了宽温区、抗电磁、高耐压、长寿命的能源电子高可靠定制化模拟芯片工艺平台。平台具有低功耗、高效能、高集成度的特点，可降低芯片功率耗损，提高芯片可靠性水平。

　　2020年10月，陈燕宁创新工作室正式成立。这是一支硕士、博士研究生占比达90%的创新团队，旨在发挥高学历人才在企业科技创新中的示范引领和带头作用。2023年，她带领创新工作室成员成功申报国家及省部级科技项目9项。(黄姗 张忠禹)